ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 온저항 및 스위칭 손실을 모두 줄이고 바디 다이오드 속성을 최적화한 40V MOSFET STL320N4LF8 및 STL325N4LF8AG를 출시했다. 이 제품은 전력변환, 모터제어, 전력분배 회로에서 에너지를 절감하고 낮은 노이즈 성능을 보장해준다.

새로운 40V N-채널 인핸스먼트-모드(Enhancement-Mode) MOSFET은 최신 세대 STPOWER STripFET F8 산화물 충전 트렌치(Oxide-Filled Trench) 기술을 활용해 뛰어난 성능지수를 달성했다. STL320N4LF8 및 STL325N4LF8AG는 10V의 게이트-소스 전압(VGS)에서 각각 0.8mOhm 및 0.75mOhm의 최대 온저항(Rds(on))을 제공한다. 이 MOSFET은 다이 영역당 매우 효율적인 Rds(on)을 통해 공간 절감이 가능하고 열효율이 뛰어난 PowerFLAT 5x6 패키지로 구현됐다.

ST의 첨단 STripFET F8 기술은 게이트-드레인(Gate-Drain) 전하 등의 동적 파라미터를 최소화하는 낮은 디바이스 커패시턴스로 탁월한 스위칭 속도를 보장하면서 시스템 효율성을 높여준다. 설계자는 600kHz ~ 1MHz 범위에서 스위칭 주파수를 선택할 수 있기 때문에 더 작은 커패시턴스 및 자기 부품을 사용해 회로 크기를 줄이고, 부품원가(BoM)를 절감하는 것은 물론, 최종 애플리케이션의 전력밀도를 높일 수 있다.

적절한 출력 커패시턴스와 이에 해당하는 등가 직렬 저항을 통해서는 드레인-소스(Drain-Source) 전압의 스파이크를 방지하고, 턴오프 시 덤플링 진동(Dumpling Oscillation) 시간을 단축한다. 이와 함께 STL320N4LF8 및 STL325N4LF8AG는 바디 다이오드의 소프트 복구 특성을 통해 시장의 다른 유사 디바이스보다 극히 낮은 EMI(Electromagnetic Interference)를 방출한다. 또한, 이 다이오드는 낮은 역회복 전하를 갖춰 하드 스위칭 토폴로지에서 에너지 손실을 최소화해준다.

STL320N4LF8 및 STL325N4LF8AG는 게이트 임계전압(VGS(th))을 엄격하게 제어해 디바이스 간에 확산 폭을 좁힐 수 있어, 증가하는 전류를 처리하기 위해 여러 MOSFET을 병렬로 용이하게 연결할 수 있다. 최대 1,000A(10µs 미만의 펄스)까지 견딜 수 있는 탁월한 단락회로 견고성도 보장한다.

STL320N4LF8 및 STL325N4LF8AG는 컴퓨팅, 통신, 조명, 일반 전력변환 애플리케이션과 배터리 구동 제품에 매우 적합하며, 최초의 산업용 인증 및 AEC-Q101 인증을 획득한 STPOWER STripFET F8 MOSFET 디바이스이다.

STL320N4LF8 및 STL325N4LF8AG는 현재 대량 생산 중이며, 가격은 1,000개 구매 시 각각 1.29달러 및 1.40달러이다.

자세한 정보는 www.st.com/f8-stripfet 에서 확인할 수 있다.